電暈處理光面膜(MP)
主要特征:薄膜的一表面經(jīng)電暈處理,另一面是光面,成為單面可鍍金屬層的基膜
**應(yīng)用范圍:主要用于金屬化膜自愈式電容器的電極和電介質(zhì)材料。如制造低壓并聯(lián)電力電容器、交流電動(dòng)機(jī)用電容器以及直流電容器
**薄膜厚度范圍:4μm—15μm
項(xiàng)目 型號(hào) |
單位 |
6014(MP-A) |
測(cè)試方法 |
|||
厚度 |
標(biāo)稱 |
μm |
5D |
6.9 |
10 |
|
實(shí)測(cè) |
4.75 |
6.88 |
9.95 |
GB/T12802, 5.3 |
||
拉伸強(qiáng)度 |
縱向 |
MPa |
165 |
160 |
155 |
GB/T12802, 5.8 |
橫向 |
325 |
312 |
310 |
|||
斷裂伸長(zhǎng)率 |
縱向 |
% |
166 |
163 |
157 |
GB/T12802, 5.8 |
橫向 |
60 |
58 |
57 |
|||
收縮率 |
縱向 |
% |
4.5 |
4 |
3.8 |
GB/T12802, 5.9 |
橫向 |
0.2 |
0.4 |
0.3 |
|||
濕潤(rùn)張力 |
MN/m |
41 |
41 |
41 |
GB/T12802, 5.18 |
|
介電強(qiáng)度 ( 電極法 ) |
平均值 |
V/ μ m |
522 |
565 |
605 |
GB/T12802, 5.10 |
最低值 |
410 |
455 |
516 |
|||
相對(duì)介電常數(shù)™ |
|
2.2 |
2.2 |
2.2 |
GB/T12802, 5.12 |
|
介質(zhì)損耗因數(shù) tg δ |
|
2.8 × 10-4 |
2.5 × 10-4 |
2 × 10-4 |
GB/T12802, 5.12 |
|
體積電阻率 ρ V |
Ω m |
1.8 × 10 15 |
1.7 × 10 15 |
1.9 × 10 15 |
GB/T12802, 5.11 |
聚丙烯粗化膜(RP、RRP)
主要特點(diǎn):使用進(jìn)口高純度、高等規(guī)度的電工級(jí)聚丙烯樹脂,采用平膜法分步雙向拉伸生產(chǎn)進(jìn)行工藝方法粗化處理 , 使膜單面或雙面具有適宜的粗化度。具有介質(zhì)損耗因數(shù)低、介電強(qiáng)度高、與多種浸漬油相容性好且溶漲小的特點(diǎn)。
**應(yīng)用范圍:主要用于膜紙復(fù)合浸油介質(zhì)或全膜浸油介質(zhì)電容器。如輸變電系統(tǒng)的無(wú)功補(bǔ)償、均壓、濾波、耦合等中高壓電力電容器、電容式互感器制造
**薄膜厚度范圍:6μm—15μm
型號(hào) 項(xiàng)目 |
單位 |
6013RRP |
測(cè)試方法 |
|||
厚度 |
標(biāo)稱 |
μm |
9 |
12 |
15 |
|
實(shí)測(cè) |
9.08 |
11.89 |
15.15 |
GB/T12802, 5.3 |
||
拉伸強(qiáng)度 |
縱向 |
MPa |
135 |
130 |
133 |
GB/T12802, 5.8 |
橫向 |
298 |
282 |
285 |
|||
斷裂伸長(zhǎng)率 |
縱向 |
% |
150 |
157 |
151 |
GB/T12802, 5.8 |
橫向 |
48 |
47 |
44 |
|||
熱收縮率 |
縱向 |
% |
3.6 |
3.6 |
3.3 |
GB/T12802, 5.9 |
橫向 |
0.5 |
0.3 |
0.3 |
|||
濕潤(rùn)張力 |
MN/m |
- |
- |
- , , , , |
GB/T12802, 5.18 |
|
表面粗糙度 |
μm |
0.34/0.42 |
0.40/0. 42 |
0.38/0.45 |
GB/T12802, 5.16 |
|
介電強(qiáng)度 (電極法) |
平均值 |
V/μ m |
495 |
528 |
531 |
GB/T12802, 5.10 |
最低值 |
450 |
452 |
488 |
|||
介電強(qiáng)度 (元件法) |
平均值 |
V/μ m |
387 |
436 |
413 |
|
最低值 |
276 |
287 |
311 |
|||
介電常數(shù) |
|
2.2 |
2.2 |
2.2 |
GB/T12802, 5.12 |
|
介質(zhì)損耗角正切 tg δ |
|
1.3×10 -4 |
1.2×10 -4 |
1.3×10 -4 |
GB/T12802, 5.12 |
|
體積電阻率 ρV |
Ω m |
1.7×10 15 |
1.5×10 15 |
1.4×10 15 |
GB/T12802, 5.11 |
|
空隙率 |
平均值 |
% |
9.54 |
9..57 |
9.50 |
GB/T12802, 5.14 |